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IC IPB100N04S4-H2 品牌 INFINEON 封装 TO-263产品属性：类型描述选择
类别 分立半导体产品单 FET，MOSFET
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 4V @ 70μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值） 90 nC @ 10 V
Vgs（zui大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 7180 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（zui大值） 115W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号 IPB100
IC IPB100N04S4-H2 品牌 INFINEON 封装 TO-263产品优势：
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