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会员年限:2年
发布时间: 2023/3/14 11:42:06 | 153 次阅读
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IRFB3206PBF
包装管件
产品状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)3 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)4V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)170 nC @ 10 V
Vgs(大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)6540 pF @ 50 V
FET 功能-
功率耗散(大值)300W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
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